型号:IRG7IA19U-110P
功能描述:IGBT 晶体管
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
配置:
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:2.3 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:150 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:187 W
最大工作温度:
封装 / 箱体:TO-247
封装:Tube
IRG7IA19UPBF
IRG7IC28U-110P
IRG7IC30FDPBF
IRG7PA19U-203P
IRG7PA19UPBF
IRG7PH30K10DPBF
IRG7PH30K10PBF
IRG7PH35UD1PBF
IRG7PH35UDPBF
IRG7PH35UPBF
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